发光二极管芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410449231.0

申请日：

2014-09-04

公开(公告)号：

CN104241475A

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

郑远志陈向东姚禹康建梁旭东

申请人：

申请人地址：

243000 安徽省马鞍山市经济开发区湖西大道南路259号1-一层

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

刘芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595683799 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2014104492310 申请日:20140904
2017-09-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101758378488 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2014104492310 申请公布日:20141224
2014-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管芯片 [P].

李刚 ;

吴启保 ;

王胜国 .

中国专利 :CN2789935Y ,2006-06-21

[2]

发光二极管芯片结构 [P].

杜高云 ;

张淋 ;

邓群雄 ;

许雪芳 .

中国专利 :CN102867898A ,2013-01-09

[3]

发光二极管芯片结构 [P].

杜高云 ;

张淋 ;

邓群雄 ;

许雪芳 .

中国专利 :CN202871851U ,2013-04-10

[4]

发光二极管芯片 [P].

王晟 .

中国专利 :CN211150583U ,2020-07-31

[5]

一种发光二极管芯片及其制备方法 [P].

李刚 ;

潘群峰 ;

吴启保 .

中国专利 :CN1787237A ,2006-06-14

[6]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P].

刘珊珊 ;

纪思美 ;

陈顺利 ;

李士涛 .

中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16

[7]

发光二极管芯片以及其制备方法 [P].

王晟 .

中国专利 :CN110752275B ,2024-11-12

[8]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制作方法 [P].

王思博 ;

胡欢欢 ;

简弘安 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 ;

丁逸圣 .

中国专利 :CN109728143A ,2019-05-07

[9]

发光二极管芯片以及其制备方法 [P].

王晟 .

中国专利 :CN110752275A ,2020-02-04

[10]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

杨亮 ;

过靖 ;

刘传桂 ;

夏章艮 .

中国专利 :CN119029110A ,2024-11-26

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