发光二极管芯片

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110219720.7
申请日
2021-02-26
公开(公告)号
CN113036007A
公开(公告)日
2021-06-25
发明(设计)人
樊本杰 杨鸿志 邓顺达
申请人
申请人地址
361101 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星路101、103、105、107、109、111、113、115号
IPC主分类号
H01L3306
IPC分类号
H01L3308 H01L3332
代理机构
深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393
代理人
夏声平
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P]. 
刘珊珊 ;
纪思美 ;
陈顺利 ;
李士涛 .
中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16
[2]
发光二极管芯片 [P]. 
K.恩格尔 ;
M.毛特 ;
S.拉梅尔斯贝格尔 .
中国专利 :CN103069590A ,2013-04-24
[3]
发光二极管芯片 [P]. 
吴世熙 ;
金在权 ;
金钟奎 ;
金贤儿 ;
李俊燮 .
中国专利 :CN110168755A ,2019-08-23
[4]
发光二极管芯片 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN217239489U ,2022-08-19
[5]
发光二极管芯片 [P]. 
吕志轩 ;
陈誉云 ;
林永鑫 ;
李芳仪 ;
潘锡明 .
中国专利 :CN107871804B ,2018-04-03
[6]
发光二极管芯片 [P]. 
徐慧文 ;
于正国 ;
李起鸣 .
中国专利 :CN106299072A ,2017-01-04
[7]
发光二极管芯片 [P]. 
申利莹 ;
张君逸 ;
谢创宇 ;
林仕尉 ;
潘冠甫 ;
吴超瑜 ;
王笃祥 .
中国专利 :CN205692850U ,2016-11-16
[8]
发光二极管芯片 [P]. 
吕志轩 ;
陈誉云 ;
林永鑫 ;
李芳仪 ;
潘锡明 .
中国专利 :CN104868028B ,2015-08-26
[9]
发光二极管芯片 [P]. 
马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;
卢茨·赫佩尔 ;
安德烈亚斯·魏玛 ;
卡尔·恩格尔 ;
约翰内斯·鲍尔 .
中国专利 :CN104576871B ,2015-04-29
[10]
发光二极管芯片 [P]. 
小池正妤 ;
金范埈 .
中国专利 :CN101060156A ,2007-10-24