一种倒装高压发光二极管芯片

被引：0

申请号：

CN202222408777.4

申请日：

2022-09-09

公开(公告)号：

CN218160425U

公开(公告)日：

2022-12-27

发明(设计)人：

章进兵张存磊廖汉忠芦玲

申请人：

申请人地址：

223001 江苏省淮安市清河新区景秀路6号

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3306 H01L3308 H01L3332 H01L3346

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

高燕

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种倒装高压发光二极管芯片 [P].

章进兵 ;

张存磊 ;

廖汉忠 ;

芦玲 .

中国专利 :CN218160426U ,2022-12-27

[2]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[3]

一种高压发光二极管芯片 [P].

赵洋 ;

宋林青 ;

廖汉忠 ;

芦玲 .

中国专利 :CN115966642B ,2024-03-12

[4]

一种倒装高压发光二极管芯片 [P].

章进兵 ;

张存磊 ;

廖汉忠 ;

芦玲 .

中国专利 :CN218160424U ,2022-12-27

[5]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN209896094U ,2020-01-03

[6]

倒装发光二极管芯片 [P].

赵进超 ;

沈丹萍 ;

李超 ;

马新刚 ;

李东昇 .

中国专利 :CN212676295U ,2021-03-09

[7]

高压倒装发光二极管芯片 [P].

赵进超 ;

李超 ;

马新刚 ;

吴珊 .

中国专利 :CN214411235U ,2021-10-15

[8]

高压倒装发光二极管芯片 [P].

赵进超 ;

李超 ;

马新刚 ;

吴珊 .

中国专利 :CN214411201U ,2021-10-15

[9]

发光二极管芯片 [P].

洪越 .

中国专利 :CN109545927A ,2019-03-29

[10]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN210429862U ,2020-04-28

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