高压倒装发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202023297763.7

申请日：

2020-12-31

公开(公告)号：

CN214411235U

公开(公告)日：

2021-10-15

发明(设计)人：

赵进超李超马新刚吴珊

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号1幢1层

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3360 H01L3362 H01L2715

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;杨思雨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-15	授权	授权

共 50 条

[1]

高压倒装发光二极管芯片 [P].

赵进超 ;

李超 ;

马新刚 ;

吴珊 .

中国专利 :CN214411201U ,2021-10-15

[2]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN209896094U ,2020-01-03

[3]

倒装发光二极管芯片 [P].

赵进超 ;

沈丹萍 ;

李超 ;

马新刚 ;

李东昇 .

中国专利 :CN212676295U ,2021-03-09

[4]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN210429862U ,2020-04-28

[5]

倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110098300A ,2019-08-06

[6]

一种倒装高压发光二极管芯片 [P].

章进兵 ;

张存磊 ;

廖汉忠 ;

芦玲 .

中国专利 :CN218160425U ,2022-12-27

[7]

一种倒装高压发光二极管芯片 [P].

章进兵 ;

张存磊 ;

廖汉忠 ;

芦玲 .

中国专利 :CN218160426U ,2022-12-27

[8]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[9]

倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制备方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110085719A ,2019-08-02

[10]

倒装发光二极管芯片及其制备方法 [P].

赵进超 ;

沈丹萍 ;

李超 ;

马新刚 ;

李东昇 .

中国专利 :CN111653654A ,2020-09-11

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