电流阻挡层及发光二极管芯片的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710326592.X

申请日：

2017-05-10

公开(公告)号：

CN107195745A

公开(公告)日：

2017-09-22

发明(设计)人：

兰叶顾小云徐瑾吴志浩杨春艳王江波

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇徐丰村（浙江四达工具有限公司内）

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3320

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-22	公开	公开
2019-08-02	授权	授权
2017-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20170510

共 50 条

[1]

发光二极管芯片的制作方法及发光二极管芯片 [P].

兰叶 ;

顾小云 .

中国专利 :CN110246934A ,2019-09-17

[2]

一种改进的具有电流阻挡层的发光二极管芯片 [P].

樊邦扬 ;

叶国光 ;

梁伏波 ;

杨小东 ;

曹东兴 .

中国专利 :CN202025790U ,2011-11-02

[3]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN113964247B ,2024-01-30

[4]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN113964247A ,2022-01-21

[5]

发光二极管芯片、发光二极管及其制作方法 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN110165025A ,2019-08-23

[6]

一种发光二极管芯片的制作方法、衬底及发光二极管芯片 [P].

胡红坡 ;

董彬忠 ;

张奕 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN108470804A ,2018-08-31

[7]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112289903B ,2021-01-29

[8]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112216782A ,2021-01-12

[9]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

赖志成 .

中国专利 :CN102231413A ,2011-11-02

[10]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

黄彪彪 ;

肖和平 ;

汪洋 .

中国专利 :CN117374184A ,2024-01-09

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