具有复合P型层的发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211729109.X

申请日：

2022-12-30

公开(公告)号：

CN116014045B

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

李翠玲蒋媛媛从颖梅劲

申请人：

京东方华灿光电（苏州）有限公司

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号

IPC主分类号：

H10H20/825

IPC分类号：

H10H20/813 H10H20/01

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-18	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 33/32变更事项:申请人变更前:华灿光电（苏州）有限公司变更后:京东方华灿光电（苏州）有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号变更后:215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
2025-10-10	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

饶晓松 ;

张奕 ;

程虎 .

中国专利 :CN120936155A ,2025-11-11

[2]

具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法 [P].

王群 ;

郭志琰 ;

王江波 ;

葛永晖 ;

董彬忠 ;

李鹏 .

中国专利 :CN113644174B ,2021-11-12

[3]

采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法 [P].

王兵 ;

伊晓燕 ;

孔庆峰 ;

刘志强 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN103730558B ,2014-04-16

[4]

微型发光二极管及其制备方法 [P].

陈张笑雄 ;

龚逸品 ;

朱宸綦 ;

王江波 .

中国专利 :CN121038453A ,2025-11-28

[5]

高效发光二极管及其制备方法 [P].

程海林 ;

杨云峰 ;

朱帅 .

中国专利 :CN118610327A ,2024-09-06

[6]

高亮发光二极管及其制备方法 [P].

刘小星 ;

尹灵峰 ;

高艳龙 ;

陈沛然 ;

马国强 .

中国专利 :CN115458652A ,2022-12-09

[7]

微发光二极管及其制备方法 [P].

郭恩卿 ;

黄秀颀 ;

王程功 ;

夏继业 ;

姚志博 .

中国专利 :CN114171646A ,2022-03-11

[8]

高亮发光二极管及其制备方法 [P].

刘小星 ;

尹灵峰 ;

高艳龙 ;

陈沛然 ;

马国强 .

中国专利 :CN115458652B ,2025-07-11

[9]

发光二极管及发光二极管制作方法 [P].

王世俊 ;

赵秀梅 ;

宋木 ;

李彤 ;

邢振远 ;

王洪占 .

中国专利 :CN118380521A ,2024-07-23

[10]

发光二极管及其制造方法 [P].

邱英强 ;

梁兴华 ;

张乾 ;

洪灿皇 .

中国专利 :CN115295692B ,2025-11-14

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