微发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010953985.5

申请日：

2020-09-11

公开(公告)号：

CN114171646A

公开(公告)日：

2022-03-11

发明(设计)人：

郭恩卿黄秀颀王程功夏继业姚志博

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区天映路146号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3308 H01L3300 H01L2715

代理机构：

北京华进京联知识产权代理有限公司 11606

代理人：

方晓燕

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	公开	公开
2022-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20200911

共 50 条

[1]

微型发光二极管及其制备方法 [P].

陈张笑雄 ;

龚逸品 ;

朱宸綦 ;

王江波 .

中国专利 :CN121038453A ,2025-11-28

[2]

发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

饶晓松 ;

张奕 ;

程虎 .

中国专利 :CN120936155A ,2025-11-11

[3]

高效发光二极管及其制备方法 [P].

程海林 ;

杨云峰 ;

朱帅 .

中国专利 :CN118610327A ,2024-09-06

[4]

高亮发光二极管及其制备方法 [P].

刘小星 ;

尹灵峰 ;

高艳龙 ;

陈沛然 ;

马国强 .

中国专利 :CN115458652A ,2022-12-09

[5]

高亮发光二极管及其制备方法 [P].

刘小星 ;

尹灵峰 ;

高艳龙 ;

陈沛然 ;

马国强 .

中国专利 :CN115458652B ,2025-07-11

[6]

发光二极管及发光二极管制作方法 [P].

王世俊 ;

赵秀梅 ;

宋木 ;

李彤 ;

邢振远 ;

王洪占 .

中国专利 :CN118380521A ,2024-07-23

[7]

发光二极管及其制造方法 [P].

邱英强 ;

梁兴华 ;

张乾 ;

洪灿皇 .

中国专利 :CN115295692B ,2025-11-14

[8]

发光二极管及其制备方法 [P].

谢春林 ;

肖怀曙 .

中国专利 :CN107919417A ,2018-04-17

[9]

发光二极管及其制备方法 [P].

徐志波 ;

张志华 ;

马明彬 ;

李政鸿 ;

林兓兓 ;

张家豪 .

中国专利 :CN115398653B ,2024-11-22

[10]

发光二极管及其制备方法 [P].

徐志波 ;

张志华 ;

马明彬 ;

李政鸿 ;

林兓兓 ;

张家豪 .

中国专利 :CN115398653A ,2022-11-25

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