发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511033549.5

申请日：

2025-07-25

公开(公告)号：

CN120936155A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

王明饶晓松张奕程虎

申请人：

京东方华灿光电（浙江）有限公司

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H10H20/817

IPC分类号：

H10H20/833 H10H20/01

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	公开	公开
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/817申请日:20250725

共 50 条

[1]

发光二极管及发光二极管制作方法 [P].

王世俊 ;

赵秀梅 ;

宋木 ;

李彤 ;

邢振远 ;

王洪占 .

中国专利 :CN118380521A ,2024-07-23

[2]

发光二极管及其制造方法 [P].

邱英强 ;

梁兴华 ;

张乾 ;

洪灿皇 .

中国专利 :CN115295692B ,2025-11-14

[3]

微型发光二极管及其制备方法 [P].

陈张笑雄 ;

龚逸品 ;

朱宸綦 ;

王江波 .

中国专利 :CN121038453A ,2025-11-28

[4]

高亮发光二极管及其制备方法 [P].

刘小星 ;

尹灵峰 ;

高艳龙 ;

陈沛然 ;

马国强 .

中国专利 :CN115458652A ,2022-12-09

[5]

微发光二极管及其制备方法 [P].

郭恩卿 ;

黄秀颀 ;

王程功 ;

夏继业 ;

姚志博 .

中国专利 :CN114171646A ,2022-03-11

[6]

高亮发光二极管及其制备方法 [P].

刘小星 ;

尹灵峰 ;

高艳龙 ;

陈沛然 ;

马国强 .

中国专利 :CN115458652B ,2025-07-11

[7]

发光二极管及其制备方法 [P].

谭胜友 ;

蒋振宇 ;

朱酉良 ;

颜改革 ;

闫春辉 ;

马爽 .

中国专利 :CN113594328A ,2021-11-02

[8]

发光二极管及其制备方法 [P].

黄盼宁 ;

芦子哲 .

中国专利 :CN115513390A ,2022-12-23

[9]

高效发光二极管及其制备方法 [P].

程海林 ;

杨云峰 ;

朱帅 .

中国专利 :CN118610327A ,2024-09-06

[10]

改善载流子扩展的发光二极管及其制备方法 [P].

韩艺蕃 ;

钱佳煜 ;

江宾 ;

张旭东 ;

郝亚磊 ;

魏柏林 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN120264961A ,2025-07-04

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