一种具有复合电子阻挡层的近紫外LED的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611208338.1

申请日：

2016-12-23

公开(公告)号：

CN106784188B

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

贾传宇殷淑仪张国义

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市企石镇东平科技工业园

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3312 H01L3332 B82Y3000

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

罗晓林;杨桂洋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729165729 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2016112083381 申请日:20161223
2018-09-25	授权	授权
2017-05-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有新型电子阻挡层的近紫外LED及其制备方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN105932130A ,2016-09-07

[2]

采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构 [P].

吴真龙 ;

田宇 ;

郑建钦 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN206148464U ,2017-05-03

[3]

一种具有极化掺杂复合极性面电子阻挡层的紫外LED [P].

张雄 ;

陈斌 ;

胡国华 ;

崔一平 .

中国专利 :CN111599903B ,2020-08-28

[4]

一种采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构 [P].

吴真龙 ;

田宇 ;

郑建钦 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN107689406A ,2018-02-13

[5]

一种制备具有掺杂浓度及Al组分阶梯式变化的p型AlGaN/AlInGaN电子阻挡层近紫外LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN106299038A ,2017-01-04

[6]

具有组分渐变电子阻挡层的近紫外激光器及其制备方法 [P].

高茂林 ;

杨静 ;

贾伟 ;

赵德刚 ;

许并社 .

中国专利 :CN120237532A ,2025-07-01

[7]

一种采用复合电子阻挡层的紫外发光器件及其制备方法 [P].

贺龙飞 ;

赵维 ;

张康 ;

何晨光 ;

吴华龙 ;

刘云洲 ;

王巧 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN110993759B ,2024-05-17

[8]

一种采用复合电子阻挡层的紫外发光器件及其制备方法 [P].

贺龙飞 ;

赵维 ;

张康 ;

何晨光 ;

吴华龙 ;

刘云洲 ;

王巧 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN110993759A ,2020-04-10

[9]

具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

陈云 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN114203872B ,2025-07-15

[10]

具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

陈云 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN114203872A ,2022-03-18

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