具有组分渐变电子阻挡层的近紫外激光器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311841017.5

申请日：

2023-12-28

公开(公告)号：

CN120237532A

公开(公告)日：

2025-07-01

发明(设计)人：

高茂林杨静贾伟赵德刚许并社

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5/343

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李婉婉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/343申请日:20231228
2025-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种采用铝组分渐变电子阻挡层的LED结构 [P].

王成新 ;

王强 ;

徐现刚 ;

李树强 ;

曲爽 .

中国专利 :CN102820394B ,2012-12-12

[2]

紫外激光器及其制备方法 [P].

高茂林 ;

杨静 ;

梁锋 ;

赵德刚 ;

许并社 .

中国专利 :CN118589300A ,2024-09-03

[3]

一种具有新型电子阻挡层的近紫外LED及其制备方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN105932130A ,2016-09-07

[4]

具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器 [P].

陈平 ;

赵德刚 ;

朱建军 ;

刘宗顺 ;

杨静 ;

梁锋 .

中国专利 :CN111404029A ,2020-07-10

[5]

一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法 [P].

郭泽昊 ;

胡新星 ;

赵海明 ;

仇成功 ;

左万胜 ;

袁松 ;

钮应喜 .

中国专利 :CN114361308A ,2022-04-15

[6]

一种具有复合电子阻挡层的近紫外LED的制备方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN106784188B ,2017-05-31

[7]

一种具有电流阻挡层的激光器 [P].

马骁宇 ;

常津源 ;

刘素平 ;

熊聪 ;

仲莉 ;

林楠 .

中国专利 :CN113206448A ,2021-08-03

[8]

具有电流阻挡层的量子级联激光器 [P].

A.比斯穆托 ;

J.发斯特 ;

E.吉尼 ;

B.欣科夫 .

中国专利 :CN107251346A ,2017-10-13

[9]

具有InGaN电子减速层的VCSEL激光器 [P].

田康凯 ;

贾兴宇 ;

张紫辉 ;

张勇辉 .

中国专利 :CN216929168U ,2022-07-08

[10]

具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器 [P].

陈平 ;

赵德刚 ;

朱建军 ;

刘宗顺 ;

杨静 ;

梁锋 .

中国专利 :CN111404024B ,2020-07-10

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