具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010234396.1

申请日：

2020-03-27

公开(公告)号：

CN111404029A

公开(公告)日：

2020-07-10

发明(设计)人：

陈平赵德刚朱建军刘宗顺杨静梁锋

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01S520

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴梦圆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20200327
2020-07-10	公开	公开
2021-09-14	授权	授权

共 50 条

[1]

具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器 [P].

陈平 ;

赵德刚 ;

朱建军 ;

刘宗顺 ;

杨静 ;

梁锋 .

中国专利 :CN111404024B ,2020-07-10

[2]

具有空穴阻挡层的氮化镓基垂直腔面发射激光器 [P].

王亚晨 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

杨静 ;

刘宗顺 .

中国专利 :CN118117443A ,2024-05-31

[3]

具有非对称In组分InGaN波导层的氮化镓基激光器 [P].

本钰豪 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

杨静 ;

刘宗顺 ;

朱建军 ;

陈平 .

中国专利 :CN111900624A ,2020-11-06

[4]

具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 [P].

陈平 ;

赵德刚 ;

朱建军 ;

刘宗顺 ;

江德生 ;

杨辉 .

中国专利 :CN104734015A ,2015-06-24

[5]

一种氮化镓基激光器制备方法和氮化镓基激光器 [P].

梁锋 ;

赵德刚 ;

陈平 ;

刘宗顺 ;

杨静 .

中国专利 :CN114142345A ,2022-03-04

[6]

一种氮化镓基激光器制备方法和氮化镓基激光器 [P].

梁锋 ;

赵德刚 ;

陈平 ;

刘宗顺 ;

杨静 .

中国专利 :CN114142345B ,2024-04-30

[7]

一种氮化镓基近紫外激光器外延结构 [P].

李书平 ;

谈奇灵 ;

黄胜利 .

中国专利 :CN118448984A ,2024-08-06

[8]

氮化镓基激光器的制备方法 [P].

陈振宇 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

刘宗顺 ;

杨静 .

中国专利 :CN119742659B ,2025-12-09

[9]

氮化镓基激光器的制备方法 [P].

陈振宇 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

刘宗顺 ;

杨静 .

中国专利 :CN119742659A ,2025-04-01

[10]

氮化镓基激光器及其制备方法 [P].

梁锋 ;

赵德刚 ;

杨静 ;

朱建军 ;

刘宗顺 ;

陈平 .

中国专利 :CN112134143B ,2020-12-25

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