具有空穴阻挡层的氮化镓基垂直腔面发射激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410281959.0

申请日：

2024-03-12

公开(公告)号：

CN118117443A

公开(公告)日：

2024-05-31

发明(设计)人：

王亚晨赵德刚梁锋杨静刘宗顺

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5/183

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周天宇

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-31	公开	公开
2024-06-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/183申请日:20240312

共 50 条

[1]

具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器 [P].

王亚晨 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

杨静 ;

刘宗顺 .

中国专利 :CN118099934A ,2024-05-28

[2]

具有琴弦式多量子阱有源层结构的氮化镓基垂直腔面发射激光器 [P].

陈平 ;

肖湘珂 ;

梁锋 ;

赵德刚 ;

薛春来 .

中国专利 :CN118198860A ,2024-06-14

[3]

一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P].

张保平 ;

杨涛 ;

梅洋 ;

石磊 ;

应磊莹 .

中国专利 :CN118137289A ,2024-06-04

[4]

一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P].

梅洋 ;

石磊 ;

应磊莹 ;

张保平 .

中国专利 :CN117498146A ,2024-02-02

[5]

一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制作方法 [P].

张保平 ;

刘文杰 ;

胡晓龙 ;

张江勇 ;

应磊莹 .

中国专利 :CN103227265B ,2013-07-31

[6]

垂直腔面发射激光器 [P].

P·H·格拉赫 ;

R·金 .

中国专利 :CN111564753A ,2020-08-21

[7]

垂直腔面发射激光器 [P].

P·H·格拉赫 ;

R·金 .

中国专利 :CN111564754A ,2020-08-21

[8]

垂直腔面发射激光器 [P].

P·H·格拉赫 ;

R·金 .

中国专利 :CN107690737A ,2018-02-13

[9]

垂直腔面发射激光器 [P].

P·H·格拉赫 ;

R·米查尔齐克 ;

S·巴德尔 .

中国专利 :CN111448724A ,2020-07-24

[10]

垂直腔面发射激光器 [P].

小山雄司 .

中国专利 :CN115411615A ,2022-11-29

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