一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311195683.6
申请日
2023-09-15
公开(公告)号
CN117498146A
公开(公告)日
2024-02-02
发明(设计)人
梅洋 石磊 应磊莹 张保平
申请人
厦门大学
申请人地址
361005 福建省厦门市思明南路422号
IPC主分类号
H01S5/024
IPC分类号
H01S5/02 H01S5/183
代理机构
厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101
代理人
雷鹏达
法律状态
公开
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
张保平 ;
杨涛 ;
梅洋 ;
石磊 ;
应磊莹 .
中国专利 :CN118137289A ,2024-06-04
[2]
一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制作方法 [P]. 
张保平 ;
刘文杰 ;
胡晓龙 ;
张江勇 ;
应磊莹 .
中国专利 :CN103227265B ,2013-07-31
[3]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
曾评伟 ;
蔡文必 .
中国专利 :CN112038887A ,2020-12-04
[4]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
傅攀 ;
张杨 ;
袁江缘 ;
王立 .
中国专利 :CN120357272A ,2025-07-22
[5]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
傅攀 ;
张杨 ;
袁江缘 ;
王立 .
中国专利 :CN120357272B ,2025-09-02
[6]
具有空穴阻挡层的氮化镓基垂直腔面发射激光器 [P]. 
王亚晨 ;
赵德刚 ;
梁锋 ;
杨静 ;
刘宗顺 .
中国专利 :CN118117443A ,2024-05-31
[7]
高速垂直腔面发射激光器制备方法及高速垂直腔面发射激光器 [P]. 
唐松 ;
惠利省 .
中国专利 :CN120497756A ,2025-08-15
[8]
高速垂直腔面发射激光器制备方法及高速垂直腔面发射激光器 [P]. 
唐松 ;
惠利省 .
中国专利 :CN120497756B ,2025-10-28
[9]
垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器 [P]. 
李加伟 ;
严磊 ;
李国庆 .
中国专利 :CN113922209A ,2022-01-11
[10]
垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器 [P]. 
向宇 ;
赖铭智 ;
高逸群 ;
岳光礼 ;
许聪基 .
中国专利 :CN113809636A ,2021-12-17