一种GaN基HEMT外延片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202422415741.8

申请日：

2024-09-30

公开(公告)号：

CN223515236U

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

姚力军费磊郭付成边逸军左万胜

申请人：

晶丰芯驰（上海）半导体科技有限公司宁波晶丰芯驰半导体材料有限公司嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司

申请人地址：

200135 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云汉路979号2楼

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D62/85 H10D30/47 H10D30/01

代理机构：

北京远智汇知识产权代理有限公司 11659

代理人：

牛海燕

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种GaN基HEMT外延片及其制备方法和用途 [P].

姚力军 ;

费磊 ;

郭付成 ;

边逸军 ;

左万胜 .

中国专利 :CN119300439A ,2025-01-10

[2]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773B ,2024-04-19

[3]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773A ,2024-03-19

[4]

GaN基LED外延片 [P].

肖怀曙 ;

谢春林 .

中国专利 :CN203491288U ,2014-03-19

[5]

一种GaN基LED外延片 [P].

吴明驰 .

中国专利 :CN203932094U ,2014-11-05

[6]

一种GaN基LED外延片 [P].

陈飞 .

中国专利 :CN203434181U ,2014-02-12

[7]

一种HEMT外延片 [P].

解向荣 ;

吴永胜 ;

刘恒山 ;

马野 .

中国专利 :CN216698281U ,2022-06-07

[8]

蓝宝石衬底GaN HEMT外延片 [P].

宋辉 .

中国专利 :CN223195063U ,2025-08-05

[9]

GaN基LED外延片 [P].

刘波 ;

尹甲运 ;

白欣娇 ;

袁凤坡 ;

王波 ;

潘鹏 ;

汪灵 ;

周晓龙 ;

王静辉 .

中国专利 :CN205264741U ,2016-05-25

[10]

一种GaN外延片 [P].

闫稳玉 ;

吴伟东 ;

张薇葭 ;

王占伟 ;

刘双昭 ;

王旭东 ;

赵利 .

中国专利 :CN207517720U ,2018-06-19

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