一种HEMT外延片

被引：0

申请号：

CN202123339487.0

申请日：

2021-12-28

公开(公告)号：

CN216698281U

公开(公告)日：

2022-06-07

发明(设计)人：

解向荣吴永胜刘恒山马野

申请人：

申请人地址：

350109 福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2906 H01L2920 H01L29778

代理机构：

福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214

代理人：

唐燕玲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种HEMT外延片及其制备方法 [P].

解向荣 ;

吴永胜 ;

刘恒山 ;

马野 .

中国专利 :CN114156164B ,2025-08-19

[2]

一种HEMT外延片及其制备方法 [P].

解向荣 ;

吴永胜 ;

刘恒山 ;

马野 .

中国专利 :CN114156164A ,2022-03-08

[3]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

张铭信 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117457714A ,2024-01-26

[4]

蓝宝石衬底GaN HEMT外延片 [P].

宋辉 .

中国专利 :CN223195063U ,2025-08-05

[5]

HEMT外延片及其制备方法 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117457734A ,2024-01-26

[6]

一种GaN外延片 [P].

闫稳玉 ;

吴伟东 ;

张薇葭 ;

王占伟 ;

刘双昭 ;

王旭东 ;

赵利 .

中国专利 :CN207517720U ,2018-06-19

[7]

一种GaN基HEMT外延片 [P].

姚力军 ;

费磊 ;

郭付成 ;

边逸军 ;

左万胜 .

中国专利 :CN223515236U ,2025-11-04

[8]

制备HEMT外延片的设备 [P].

李东昇 ;

丁海生 ;

陈善麟 .

中国专利 :CN205680660U ,2016-11-09

[9]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

张铭信 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117577664A ,2024-02-20

[10]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118676200A ,2024-09-20

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