一种HEMT外延片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111622098.0

申请日：

2021-12-28

公开(公告)号：

CN114156164A

公开(公告)日：

2022-03-08

发明(设计)人：

解向荣吴永胜刘恒山马野

申请人：

申请人地址：

350109 福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2906 H01L2920 H01L29778

代理机构：

福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214

代理人：

唐燕玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	公开	公开
2022-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20211228

共 50 条

[1]

一种HEMT外延片及其制备方法 [P].

解向荣 ;

吴永胜 ;

刘恒山 ;

马野 .

中国专利 :CN114156164B ,2025-08-19

[2]

一种HEMT外延片 [P].

解向荣 ;

吴永胜 ;

刘恒山 ;

马野 .

中国专利 :CN216698281U ,2022-06-07

[3]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

张铭信 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117457714A ,2024-01-26

[4]

HEMT外延片及其制备方法 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117457734A ,2024-01-26

[5]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

张铭信 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117577664A ,2024-02-20

[6]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118676200A ,2024-09-20

[7]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118676200B ,2024-11-22

[8]

蓝宝石衬底GaN HEMT外延片 [P].

宋辉 .

中国专利 :CN223195063U ,2025-08-05

[9]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773B ,2024-04-19

[10]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773A ,2024-03-19

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