HEMT外延片及其制备方法、HEMT

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411162491.X

申请日：

2024-08-23

公开(公告)号：

CN118676200B

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

程龙郑文杰高虹刘春杨胡加辉金从龙

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/207 H01L29/201 H01L29/20 H01L23/373 H01L21/335

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

王建宇

法律状态：

公开

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-20	公开	公开
2024-11-22	授权	授权
2024-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20240823

共 50 条

[1]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118676200A ,2024-09-20

[2]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

张铭信 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117577664A ,2024-02-20

[3]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

张铭信 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117457714A ,2024-01-26

[4]

HEMT外延片及其制备方法 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117457734A ,2024-01-26

[5]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773B ,2024-04-19

[6]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773A ,2024-03-19

[7]

蓝宝石基HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

武杰 ;

胡清富 ;

卢雨金 .

中国专利 :CN119789454A ,2025-04-08

[8]

HEMT外延片的制作方法及制备HEMT外延片的设备 [P].

李东昇 ;

丁海生 ;

陈善麟 .

中国专利 :CN105655396A ,2016-06-08

[9]

HEMT外延结构及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117153878B ,2024-02-20

[10]

制备HEMT外延片的设备 [P].

李东昇 ;

丁海生 ;

陈善麟 .

中国专利 :CN205680660U ,2016-11-09

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