制备HEMT外延片的设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620301984.1

申请日：

2016-04-11

公开(公告)号：

CN205680660U

公开(公告)日：

2016-11-09

发明(设计)人：

李东昇丁海生陈善麟

申请人：

申请人地址：

310012 浙江省杭州市黄姑山路4号

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	授权	授权

共 50 条

[1]

HEMT外延片的制作方法及制备HEMT外延片的设备 [P].

李东昇 ;

丁海生 ;

陈善麟 .

中国专利 :CN105655396A ,2016-06-08

[2]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

张铭信 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117577664A ,2024-02-20

[3]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118676200A ,2024-09-20

[4]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118676200B ,2024-11-22

[5]

HEMT外延片及其制备方法、HEMT [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

张铭信 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117457714A ,2024-01-26

[6]

HEMT外延片及其制备方法 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117457734A ,2024-01-26

[7]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773B ,2024-04-19

[8]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773A ,2024-03-19

[9]

制备GaN外延片的设备 [P].

李东昇 ;

丁海生 ;

陈善麟 .

中国专利 :CN205752103U ,2016-11-30

[10]

氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法、HEMT [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

张铭信 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117352537B ,2024-03-08

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