一种选择性激活p-GaN栅HEMT器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411661696.2

申请日：

2024-11-20

公开(公告)号：

CN119789451A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

刘志宏李妍仪许美何佳琦周瑾邢伟川张进成郝跃

申请人：

西安电子科技大学广州研究院西安电子科技大学

申请人地址：

510555 广东省广州市黄埔区中新广州知识城知明路83号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H10D62/10

代理机构：

北京谦学知识产权代理事务所(普通合伙) 50265

代理人：

王顺丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241120
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种p-GaN混合MIS栅的HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

陈伟中 ;

张红升 .

中国专利 :CN120676663A ,2025-09-19

[2]

一种p-GaN HEMT器件及制备方法 [P].

赵宇轩 ;

张敬伟 ;

敖松泉 ;

徐长坡 ;

张新玲 ;

程研 ;

刘闯 .

中国专利 :CN119153509B ,2025-03-21

[3]

一种p-GaN HEMT器件及制备方法 [P].

赵宇轩 ;

张敬伟 ;

敖松泉 ;

徐长坡 ;

张新玲 ;

程研 ;

刘闯 .

中国专利 :CN119153509A ,2024-12-17

[4]

p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

施宜军 ;

申志蓬 ;

陈媛 ;

何亮 ;

陈兴欢 ;

陈义强 ;

路国光 .

中国专利 :CN121218634A ,2025-12-26

[5]

一种T型P-GaN栅GaN射频HEMT器件及其制备方法 [P].

王仝 ;

何佳琦 ;

刘志宏 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

杜航海 ;

张苇杭 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789465A ,2025-04-08

[6]

一种具有原位阻性钝化层的p-GaN栅HEMT器件 [P].

俞程 ;

郑崇芝 ;

陈万军 ;

王茁成 ;

孙瑞泽 .

中国专利 :CN120417431A ,2025-08-01

[7]

一种P-GaN栅增强型GaN+HEMT器件短路保护方法 [P].

周星宇 ;

李全春 ;

钟泽 ;

何开文 ;

陈波 .

中国专利 :CN120379293A ,2025-07-25

[8]

降低栅极漏电的p-GaN栅增强型GaN-HEMT器件及其制作方法 [P].

施媛媛 ;

张敏 ;

倪志龙 ;

王彪 .

中国专利 :CN113363320A ,2021-09-07

[9]

一种具有分裂耦合栅结构的p-GaN HEMT器件 [P].

高升 ;

严宏宇 ;

张琳 ;

黄义 .

中国专利 :CN119300398A ,2025-01-10

[10]

一种具有雪崩击穿特性的p-GaN栅HEMT器件 [P].

俞程 ;

郑崇芝 ;

陈万军 ;

王茁成 ;

孙瑞泽 .

中国专利 :CN120417432A ,2025-08-01

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