抑制短沟道效应的SGT MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411969915.3

申请日：

2024-12-30

公开(公告)号：

CN119767742A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

冯江旭陈桥梁杨乐王钰麻泽众

申请人：

龙腾半导体股份有限公司

申请人地址：

710018 陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号西安关中综合保税区A区龙腾产业园

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/10

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王萌

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20241230

共 50 条

[1]

一种抑制PMOSFET器件短沟道效应的方法 [P].

周晓君 .

中国专利 :CN105742187A ,2016-07-06

[2]

抑制反短沟道效应的方法及NMOS器件制备方法 [P].

卢海峰 ;

刘巍 .

中国专利 :CN105047566B ,2015-11-11

[3]

自对准沟道掺杂抑制CMOS短沟道效应及其制备方法 [P].

黄晓橹 ;

毛刚 ;

陈玉文 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN102427062A ,2012-04-25

[4]

改进器件反转短沟道效应的方法 [P].

周贯宇 ;

吕煜坤 ;

钱文生 .

中国专利 :CN101136369A ,2008-03-05

[5]

用于减轻碳化硅MOSFET器件中的短沟道效应的方法和组件 [P].

D·G·斯德鲁拉 ;

A·S·卡夏普 .

中国专利 :CN111316447A ,2020-06-19

[6]

一种抑制CMOS短沟道效应的方法 [P].

黄晓橹 ;

毛刚 ;

陈玉文 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN102427063A ,2012-04-25

[7]

反向短沟道效应的减少 [P].

J·S·布朗 ;

S·S·弗卡伊 ;

小R·J·高蒂尔 ;

D·W·马丁 ;

J·A·斯林克曼 .

中国专利 :CN1319880A ,2001-10-31

[8]

一种抑制短沟道效应的p-GaN HEMT器件 [P].

郑崇芝 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

王方洲 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113675269A ,2021-11-19

[9]

一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120730783A ,2025-09-30

[10]

一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120730783B ,2025-12-02

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