一种抑制CMOS短沟道效应的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110206500.7

申请日：

2011-07-22

公开(公告)号：

CN102427063A

公开(公告)日：

2012-04-25

发明(设计)人：

黄晓橹毛刚陈玉文邱慈云

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

上海新天专利代理有限公司 31213

代理人：

王敏杰

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101709173979 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2011102065007 申请公布日:20120425
2012-06-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101269111504 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2011102065007 申请日:20110722
2012-04-25	公开	公开

共 50 条

[1]

自对准沟道掺杂抑制CMOS短沟道效应及其制备方法 [P].

黄晓橹 ;

毛刚 ;

陈玉文 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN102427062A ,2012-04-25

[2]

反向短沟道效应的减少 [P].

J·S·布朗 ;

S·S·弗卡伊 ;

小R·J·高蒂尔 ;

D·W·马丁 ;

J·A·斯林克曼 .

中国专利 :CN1319880A ,2001-10-31

[3]

一种抑制PMOSFET器件短沟道效应的方法 [P].

周晓君 .

中国专利 :CN105742187A ,2016-07-06

[4]

抑制反窄沟道效应及制作CMOS的方法 [P].

赵毅 ;

江宁 .

中国专利 :CN105355598A ,2016-02-24

[5]

改进器件反转短沟道效应的方法 [P].

周贯宇 ;

吕煜坤 ;

钱文生 .

中国专利 :CN101136369A ,2008-03-05

[6]

抑制短沟道效应的SGT MOSFET器件及其制备方法 [P].

冯江旭 ;

陈桥梁 ;

杨乐 ;

王钰 ;

麻泽众 .

中国专利 :CN119767742A ,2025-04-04

[7]

抑制反短沟道效应的方法及NMOS器件制备方法 [P].

卢海峰 ;

刘巍 .

中国专利 :CN105047566B ,2015-11-11

[8]

用于减少短沟道效应的凹陷沟道快闪架构 [P].

W·郑 ;

M·伦道夫 .

中国专利 :CN1868069A ,2006-11-22

[9]

一种抑制短沟道效应的p-GaN HEMT器件 [P].

郑崇芝 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

王方洲 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113675269A ,2021-11-19

[10]

用于改善短沟道效应的方法以及半导体结构 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108010846B ,2018-05-08

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