抑制反窄沟道效应及制作CMOS的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510669947.6

申请日：

2015-10-15

公开(公告)号：

CN105355598A

公开(公告)日：

2016-02-24

发明(设计)人：

赵毅江宁

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

朱俊跃

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-24	公开	公开
2020-08-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请公布日:20160224
2016-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101651543813 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2015106699476 申请日:20151015

共 50 条

[1]

改善反窄沟道效应及制作MOS晶体管的方法 [P].

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN102110636A ,2011-06-29

[2]

减小小尺寸器件反窄沟道效应的方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN1728360A ,2006-02-01

[3]

减少NMOS器件反窄沟道效应的方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN1979780A ,2007-06-13

[4]

减少窄沟道效应的工艺方法 [P].

韩峰 ;

段文婷 .

中国专利 :CN102956534A ,2013-03-06

[5]

抑制浅沟槽隔离工艺中反向窄沟道效应的方法 [P].

陈瑜 ;

罗啸 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103579078A ,2014-02-12

[6]

一种抑制CMOS短沟道效应的方法 [P].

黄晓橹 ;

毛刚 ;

陈玉文 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN102427063A ,2012-04-25

[7]

利用应力记忆技术提高NFET窄沟道效应的方法 [P].

林仰魁 ;

谢欣云 ;

张步新 ;

陈志豪 .

中国专利 :CN102468160A ,2012-05-23

[8]

一种缓解MOS晶体管反窄沟道效应的方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1979781A ,2007-06-13

[9]

抑制反短沟道效应的方法及NMOS器件制备方法 [P].

卢海峰 ;

刘巍 .

中国专利 :CN105047566B ,2015-11-11

[10]

一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1983528A ,2007-06-20

← 1 2 3 4 5 →