一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510111420.8

申请日：

2005-12-13

公开(公告)号：

CN1983528A

公开(公告)日：

2007-06-20

发明(设计)人：

伍宏陈晓波

申请人：

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689522004 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2005101114208 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140108
2007-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-06-20	公开	公开
2009-05-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种缓解MOS场效应管反窄沟道效应的方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1979784A ,2007-06-13

[2]

一种减小MOS晶体管反窄沟道效应的方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1979782A ,2007-06-13

[3]

一种缓解MOS晶体管反窄沟道效应的方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1979781A ,2007-06-13

[4]

一种MOS场效应管及其制作方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1983631A ,2007-06-20

[5]

减少窄沟道效应的工艺方法 [P].

韩峰 ;

段文婷 .

中国专利 :CN102956534A ,2013-03-06

[6]

减小小尺寸器件反窄沟道效应的方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN1728360A ,2006-02-01

[7]

MOS场效应管及其制作方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1983630A ,2007-06-20

[8]

功率MOS场效应管 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213583797U ,2021-06-29

[9]

改善反窄沟道效应及制作MOS晶体管的方法 [P].

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN102110636A ,2011-06-29

[10]

抗总剂量效应的MOS场效应管 [P].

刘淼 ;

康晓峰 .

中国专利 :CN109585531A ,2019-04-05

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