一种MOS场效应管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510111432.0

申请日：

2005-12-13

公开(公告)号：

CN1983631A

公开(公告)日：

2007-06-20

发明(设计)人：

伍宏陈晓波

申请人：

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-20	公开	公开
2010-11-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101037185373 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2005101114320 公开日:20070620
2007-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

MOS场效应管及其制作方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1983630A ,2007-06-20

[2]

场效应管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108133963B ,2018-06-08

[3]

一种MOS场效应管及其制造方法 [P].

伍宏 .

中国专利 :CN1971941A ,2007-05-30

[4]

鳍式场效应管及其制作方法 [P].

陈尚志 ;

张玉静 ;

杨忙 .

中国专利 :CN112802898A ,2021-05-14

[5]

一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1983528A ,2007-06-20

[6]

一种功率MOS场效应管的制作方法 [P].

吴小利 ;

许丹 .

中国专利 :CN101777497A ,2010-07-14

[7]

一种场效应管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109119482A ,2019-01-01

[8]

一种场效应管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109273522A ,2019-01-25

[9]

功率MOS场效应管及其制造方法 [P].

理查德·A·布兰查德 .

中国专利 :CN1280919C ,2003-09-17

[10]

一种MOS场效应管及其制造方法 [P].

伍宏 .

中国专利 :CN1971944A ,2007-05-30

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