用于减少短沟道效应的凹陷沟道快闪架构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480029724.3

申请日：

2004-09-16

公开(公告)号：

CN1868069A

公开(公告)日：

2006-11-22

发明(设计)人：

W·郑 M·伦道夫

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L29792

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

戈泊;程伟

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101708494605 IPC(主分类):H01L 29/788 专利申请号:2004800297243 申请公布日:20061122
2007-03-28	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国加利福尼亚州登记生效日:20070302 变更事项:申请人变更前权利人:斯班逊公司变更后权利人:斯班逊有限公司
2007-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-03-28	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国加利福尼亚州登记生效日:20070302 变更事项:地址变更事项:申请人变更前权利人:先进微装置公司变更后权利人:斯班逊公司
2006-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

反向短沟道效应的减少 [P].

J·S·布朗 ;

S·S·弗卡伊 ;

小R·J·高蒂尔 ;

D·W·马丁 ;

J·A·斯林克曼 .

中国专利 :CN1319880A ,2001-10-31

[2]

改进器件反转短沟道效应的方法 [P].

周贯宇 ;

吕煜坤 ;

钱文生 .

中国专利 :CN101136369A ,2008-03-05

[3]

用于改善短沟道效应的方法以及半导体结构 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108010846B ,2018-05-08

[4]

减少窄沟道效应的工艺方法 [P].

韩峰 ;

段文婷 .

中国专利 :CN102956534A ,2013-03-06

[5]

一种抑制CMOS短沟道效应的方法 [P].

黄晓橹 ;

毛刚 ;

陈玉文 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN102427063A ,2012-04-25

[6]

具有减小的短沟道效应的SONOS存储器器件 [P].

罗伯茨·T·F·范沙吉克 ;

弗朗康艾斯·纽利 ;

米哈依尔·范杜里恩 .

中国专利 :CN101385087A ,2009-03-11

[7]

自对准沟道掺杂抑制CMOS短沟道效应及其制备方法 [P].

黄晓橹 ;

毛刚 ;

陈玉文 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN102427062A ,2012-04-25

[8]

减少内存单元及相关结构的短沟道效应的方法 [P].

R·法斯图 ;

Y－S·何 ;

K·水谷 ;

T·瑟盖特 .

中国专利 :CN1826692A ,2006-08-30

[9]

克服短沟道效应提升频率的局部SOI LDMOS器件 [P].

王向展 ;

邹淅 ;

张易 ;

黄建国 ;

赵迪 ;

于奇 ;

刘洋 .

中国专利 :CN104157692A ,2014-11-19

[10]

一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120730783A ,2025-09-30

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