克服短沟道效应提升频率的局部SOI LDMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410407304.X

申请日：

2014-08-18

公开(公告)号：

CN104157692A

公开(公告)日：

2014-11-19

发明(设计)人：

王向展邹淅张易黄建国赵迪于奇刘洋

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

李明光

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-17	授权	授权
2014-11-19	公开	公开
2014-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101591906116 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201410407304X 申请日:20140818

共 34 条

[1]

反向短沟道效应的减少 [P].

J·S·布朗 ;

S·S·弗卡伊 ;

小R·J·高蒂尔 ;

D·W·马丁 ;

J·A·斯林克曼 .

中国专利 :CN1319880A ,2001-10-31

[2]

改进器件反转短沟道效应的方法 [P].

周贯宇 ;

吕煜坤 ;

钱文生 .

中国专利 :CN101136369A ,2008-03-05

[3]

具有减小的短沟道效应的SONOS存储器器件 [P].

罗伯茨·T·F·范沙吉克 ;

弗朗康艾斯·纽利 ;

米哈依尔·范杜里恩 .

中国专利 :CN101385087A ,2009-03-11

[4]

用于减少短沟道效应的凹陷沟道快闪架构 [P].

W·郑 ;

M·伦道夫 .

中国专利 :CN1868069A ,2006-11-22

[5]

抑制短沟道效应的SGT MOSFET器件及其制备方法 [P].

冯江旭 ;

陈桥梁 ;

杨乐 ;

王钰 ;

麻泽众 .

中国专利 :CN119767742A ,2025-04-04

[6]

一种抑制PMOSFET器件短沟道效应的方法 [P].

周晓君 .

中国专利 :CN105742187A ,2016-07-06

[7]

一种抑制短沟道效应的p-GaN HEMT器件 [P].

郑崇芝 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

王方洲 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113675269A ,2021-11-19

[8]

一种抑制CMOS短沟道效应的方法 [P].

黄晓橹 ;

毛刚 ;

陈玉文 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN102427063A ,2012-04-25

[9]

抑制反短沟道效应的方法及NMOS器件制备方法 [P].

卢海峰 ;

刘巍 .

中国专利 :CN105047566B ,2015-11-11

[10]

用于改善短沟道效应的方法以及半导体结构 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108010846B ,2018-05-08

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