一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511158164.1

申请日：

2025-08-19

公开(公告)号：

CN120730783A

公开(公告)日：

2025-09-30

发明(设计)人：

许一力李鑫杨琦

申请人：

杭州谱析光晶半导体科技有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405（自主分割）

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/17

代理机构：

北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380

代理人：

刘加龙

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	公开	公开
2025-12-02	授权	授权
2025-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250819

共 50 条

[1]

一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120730783B ,2025-12-02

[2]

反向短沟道效应的减少 [P].

J·S·布朗 ;

S·S·弗卡伊 ;

小R·J·高蒂尔 ;

D·W·马丁 ;

J·A·斯林克曼 .

中国专利 :CN1319880A ,2001-10-31

[3]

用于抑制短沟道效应的T形栅极及其制造工艺 [P].

马晓华 ;

张鹏 ;

孙保全 ;

宓珉翰 .

中国专利 :CN110544625B ,2019-12-06

[4]

一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET结构及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 .

中国专利 :CN120813015B ,2025-12-02

[5]

抑制短沟道效应的SGT MOSFET器件及其制备方法 [P].

冯江旭 ;

陈桥梁 ;

杨乐 ;

王钰 ;

麻泽众 .

中国专利 :CN119767742A ,2025-04-04

[6]

用于减少短沟道效应的凹陷沟道快闪架构 [P].

W·郑 ;

M·伦道夫 .

中国专利 :CN1868069A ,2006-11-22

[7]

一种抑制CMOS短沟道效应的方法 [P].

黄晓橹 ;

毛刚 ;

陈玉文 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN102427063A ,2012-04-25

[8]

自对准沟道掺杂抑制CMOS短沟道效应及其制备方法 [P].

黄晓橹 ;

毛刚 ;

陈玉文 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN102427062A ,2012-04-25

[9]

改进器件反转短沟道效应的方法 [P].

周贯宇 ;

吕煜坤 ;

钱文生 .

中国专利 :CN101136369A ,2008-03-05

[10]

一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET性能结构及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 .

中国专利 :CN120813015A ,2025-10-17

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