一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET性能结构及其制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511309178.9

申请日：

2025-09-15

公开(公告)号：

CN120813015A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

许一力李鑫

申请人：

杭州谱析光晶半导体科技有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405（自主分割）

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380

代理人：

刘加龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250915
2025-12-02	授权	授权
2025-10-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET结构及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 .

中国专利 :CN120813015B ,2025-12-02

[2]

一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120730783A ,2025-09-30

[3]

一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120730783B ,2025-12-02

[4]

一种具有纳米片全环绕栅极的MOSFET结构及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120812967A ,2025-10-17

[5]

一种自对准双栅极MOSFET及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120640744B ,2025-11-18

[6]

一种自对准双栅极MOSFET及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120640744A ,2025-09-12

[7]

一种增强型油封及其制造工艺 [P].

刘跃云 ;

温青建 ;

刘相平 .

中国专利 :CN105889518A ,2016-08-24

[8]

一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119866038B ,2025-07-01

[9]

一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119866038A ,2025-04-22

[10]

一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120813014B ,2025-12-23

← 1 2 3 4 5 →