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一种自对准双栅极MOSFET及其制造工艺

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511128284.7
申请日：
2025-08-13
公开(公告)号：
CN120640744A
公开(公告)日：
2025-09-12
发明(设计)人：
许一力 李鑫 杨琦
申请人：
杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请人地址：
310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405（自主分割）
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D62/10 H10D30/01
代理机构：
北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380
代理人：
刘加龙
法律状态：
授权
国省代码：
浙江省 杭州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-18 授权 授权
2025-09-12 公开 公开
2025-09-30 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250813
共 50 条
[1]
一种自对准双栅极MOSFET及其制造工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120640744B ,2025-11-18
[2]
一种具有纳米片全环绕栅极的MOSFET结构及其制造工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120812967A ,2025-10-17
[3]
一种双栅极VDMOS器件 [P]. 
许一力 .
中国专利 :CN118841446A ,2024-10-25
[4]
自对准埋入式栅极金属MOSFET及制造方法 [P]. 
黄子伦 .
中国专利 :CN119325257A ,2025-01-17
[5]
一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET结构及其制造工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 .
中国专利 :CN120813015B ,2025-12-02
[6]
一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120417445A ,2025-08-01
[7]
一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120417445B ,2025-09-26
[8]
用自对准硅化物工艺形成的MOSFET及其制造方法 [P]. 
出羽光明 ;
饭沼俊彦 ;
须黑恭一 .
中国专利 :CN1252834C ,2004-05-12
[9]
一种双栅极TFT器件及其制造方法 [P]. 
陈伟 ;
李澈 .
中国专利 :CN114937703A ,2022-08-23
[10]
一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET性能结构及其制造工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 .
中国专利 :CN120813015A ,2025-10-17
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