用自对准硅化物工艺形成的MOSFET及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03156727.4

申请日：

2003-09-08

公开(公告)号：

CN1252834C

公开(公告)日：

2004-05-12

发明(设计)人：

出羽光明饭沼俊彦须黑恭一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

陈海红;段承恩

法律状态：

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-12	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-04-19	授权	授权
2004-05-12	公开	公开
2004-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

自对准硅化物工艺的监控方法 [P].

张步新 ;

王媛 .

中国专利 :CN101494158A ,2009-07-29

[2]

用于形成具有自对准硅化物层的半导体器件的方法 [P].

瑞安·罗斯 ;

格列格·布莱克尔曼 .

中国专利 :CN101346809A ,2009-01-14

[3]

自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法 [P].

李敏 ;

吴永玉 .

中国专利 :CN101866850A ,2010-10-20

[4]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102569048A ,2012-07-11

[5]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

曾海 ;

花蔚蔚 .

中国专利 :CN115116837A ,2022-09-27

[6]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137462A ,2013-06-05

[7]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

石永昱 ;

王栩 .

中国专利 :CN102142366A ,2011-08-03

[8]

在CMOS技术中形成自对准双重硅化物的方法 [P].

小希里尔·卡布莱尔 ;

切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 ;

约汉·J.·爱丽斯－莫纳甘 ;

方隼飞 ;

克里斯蒂安·拉沃伊 ;

骆志炯 ;

詹姆斯·S.·纳考斯 ;

安·L.·斯廷根 ;

克莱门特·H.·万 .

中国专利 :CN101069281A ,2007-11-07

[9]

形成自对准金属硅化物的方法 [P].

张财福 ;

朱世麟 ;

叶清本 .

中国专利 :CN1490854A ,2004-04-21

[10]

自对准硅化物阻挡层的制造方法 [P].

陈宏 .

中国专利 :CN106024622A ,2016-10-12

← 1 2 3 4 5 →