自对准硅化物工艺的监控方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810033050.4

申请日：

2008-01-24

公开(公告)号：

CN101494158A

公开(公告)日：

2009-07-29

发明(设计)人：

张步新王媛

申请人：

申请人地址：

201203上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101183788027 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2008100330504 公开日:20090729
2009-07-29	公开	公开
2009-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

用自对准硅化物工艺形成的MOSFET及其制造方法 [P].

出羽光明 ;

饭沼俊彦 ;

须黑恭一 .

中国专利 :CN1252834C ,2004-05-12

[2]

结合自对准接触制程以及自对准硅化物制程的方法 [P].

黄水钦 .

中国专利 :CN1191624C ,2003-09-03

[3]

PMOS器件自对准硅化物阻挡膜制程方法 [P].

赵林林 ;

张力群 .

中国专利 :CN102110644A ,2011-06-29

[4]

自对准金属硅化物工艺 [P].

张毓蓝 ;

谢朝景 ;

江怡颖 ;

陈意维 ;

洪宗佑 ;

李佳蓉 .

中国专利 :CN100431105C ,2007-03-28

[5]

自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法 [P].

李敏 ;

吴永玉 .

中国专利 :CN101866850A ,2010-10-20

[6]

自对准金属硅化物的制造方法 [P].

朱津泉 ;

周祖源 .

中国专利 :CN101211781A ,2008-07-02

[7]

形成自对准金属硅化物的方法 [P].

张财福 ;

朱世麟 ;

叶清本 .

中国专利 :CN1490854A ,2004-04-21

[8]

制备自对准硅化物结构半导体器件的方法 [P].

石川拓 .

中国专利 :CN1155160A ,1997-07-23

[9]

用于形成自对准金属硅化物接触的方法 [P].

方隼飞 ;

伦道夫·F·克纳尔 ;

马哈德瓦尔耶·克里施南 ;

克里斯琴·拉沃伊 ;

雷内·T·莫 ;

巴拉萨拉曼兰·普拉纳萨蒂哈兰 ;

杰伊·W·斯特拉尼 .

中国专利 :CN101432860A ,2009-05-13

[10]

自对准硅化物膜的蚀刻方法 [P].

许宗能 ;

蒋昆坤 ;

任小兵 ;

王吉伟 .

中国专利 :CN102082090B ,2011-06-01

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