用于形成自对准金属硅化物接触的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780015617.9

申请日：

2007-04-10

公开(公告)号：

CN101432860A

公开(公告)日：

2009-05-13

发明(设计)人：

方隼飞伦道夫·F·克纳尔马哈德瓦尔耶·克里施南克里斯琴·拉沃伊雷内·T·莫巴拉萨拉曼兰·普拉纳萨蒂哈兰杰伊·W·斯特拉尼

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L2144

IPC分类号：

C23F100

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-13	公开	公开
2017-12-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/44 登记生效日:20171124 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约阿芒克变更后权利人:美国纽约
2017-12-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/44 登记生效日:20171124 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2011-06-15	授权	授权
2009-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/44 申请日:20070410 授权公告日:20110615 终止日期:20190410

共 50 条

[1]

形成自对准金属硅化物的方法 [P].

张财福 ;

朱世麟 ;

叶清本 .

中国专利 :CN1490854A ,2004-04-21

[2]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137462A ,2013-06-05

[3]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

杨瑞鹏 ;

孔祥涛 ;

聂佳相 ;

胡宇慧 .

中国专利 :CN102024690A ,2011-04-20

[4]

局部形成自对准金属硅化物的方法 [P].

赖二琨 ;

黄守伟 ;

郭东政 ;

黄宇萍 .

中国专利 :CN1159751C ,2003-03-19

[5]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102569048A ,2012-07-11

[6]

局部形成自对准金属硅化物的方法 [P].

赖二琨 ;

陈昕辉 ;

陈盈佐 ;

黄守伟 ;

黄宇萍 .

中国专利 :CN1404117A ,2003-03-19

[7]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

孔祥涛 ;

卢炯平 ;

杨瑞鹏 ;

聂佳相 .

中国专利 :CN102044422A ,2011-05-04

[8]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

徐友锋 ;

宁超 ;

保罗 .

中国专利 :CN102122613A ,2011-07-13

[9]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

曾海 ;

花蔚蔚 .

中国专利 :CN115116837A ,2022-09-27

[10]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

石永昱 ;

王栩 .

中国专利 :CN102117744A ,2011-07-06

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