自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910082350.6

申请日：

2009-04-14

公开(公告)号：

CN101866850A

公开(公告)日：

2010-10-20

发明(设计)人：

李敏吴永玉

申请人：

申请人地址：

100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L21311 H01L2352

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-22	授权	授权
2010-12-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101020710503 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2009100823506 申请日:20090414
2021-03-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/316 申请日:20090414 授权公告日:20141022 终止日期:20200414
2010-10-20	公开	公开

共 50 条

[1]

PMOS器件自对准硅化物阻挡膜制程方法 [P].

赵林林 ;

张力群 .

中国专利 :CN102110644A ,2011-06-29

[2]

结合自对准接触制程以及自对准硅化物制程的方法 [P].

黄水钦 .

中国专利 :CN1191624C ,2003-09-03

[3]

形成自对准硅化物区域阻挡膜图案的方法 [P].

杨帆 ;

张海英 ;

林竞尧 ;

王培仁 .

中国专利 :CN101969025A ,2011-02-09

[4]

自对准硅化物膜制程及结构 [P].

孙昌 ;

王艳生 ;

廖奇泊 ;

王蕾 ;

郭君 .

中国专利 :CN101373716A ,2009-02-25

[5]

一种自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法 [P].

徐强 ;

张文广 ;

郑春生 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102394219A ,2012-03-28

[6]

基于自对准硅化物和钨塞结构的RFLDMOS及其制备方法 [P].

张耀辉 ;

余庭 ;

赵一兵 .

中国专利 :CN102184863B ,2011-09-14

[7]

自对准硅化物阻挡层的制造方法 [P].

陈宏 .

中国专利 :CN106024622A ,2016-10-12

[8]

自对准硅化物膜的蚀刻方法 [P].

许宗能 ;

蒋昆坤 ;

任小兵 ;

王吉伟 .

中国专利 :CN102082090B ,2011-06-01

[9]

用自对准硅化物工艺形成的MOSFET及其制造方法 [P].

出羽光明 ;

饭沼俊彦 ;

须黑恭一 .

中国专利 :CN1252834C ,2004-05-12

[10]

自对准硅化物工艺的监控方法 [P].

张步新 ;

王媛 .

中国专利 :CN101494158A ,2009-07-29

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