形成自对准硅化物区域阻挡膜图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910055435.5

申请日：

2009-07-27

公开(公告)号：

CN101969025A

公开(公告)日：

2011-02-09

发明(设计)人：

杨帆张海英林竞尧王培仁

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

G03F700

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101487763186 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2009100554355 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121116
2011-02-09	公开	公开
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101059707016 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2009100554355 申请日:20090727
2021-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20090727 授权公告日:20130724 终止日期:20200727
2013-07-24	授权	授权

共 50 条

[1]

自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法 [P].

李敏 ;

吴永玉 .

中国专利 :CN101866850A ,2010-10-20

[2]

一种自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法 [P].

徐强 ;

张文广 ;

郑春生 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102394219A ,2012-03-28

[3]

PMOS器件自对准硅化物阻挡膜制程方法 [P].

赵林林 ;

张力群 .

中国专利 :CN102110644A ,2011-06-29

[4]

自对准硅化物阻挡层的制造方法 [P].

陈宏 .

中国专利 :CN106024622A ,2016-10-12

[5]

自对准硅化物膜的蚀刻方法 [P].

许宗能 ;

蒋昆坤 ;

任小兵 ;

王吉伟 .

中国专利 :CN102082090B ,2011-06-01

[6]

自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法 [P].

陈华伦 ;

周贯宇 .

中国专利 :CN100442459C ,2007-05-30

[7]

自对准硅化物膜制程及结构 [P].

孙昌 ;

王艳生 ;

廖奇泊 ;

王蕾 ;

郭君 .

中国专利 :CN101373716A ,2009-02-25

[8]

用自对准硅化物工艺形成的MOSFET及其制造方法 [P].

出羽光明 ;

饭沼俊彦 ;

须黑恭一 .

中国专利 :CN1252834C ,2004-05-12

[9]

在CMOS技术中形成自对准双重硅化物的方法 [P].

小希里尔·卡布莱尔 ;

切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 ;

约汉·J.·爱丽斯－莫纳甘 ;

方隼飞 ;

克里斯蒂安·拉沃伊 ;

骆志炯 ;

詹姆斯·S.·纳考斯 ;

安·L.·斯廷根 ;

克莱门特·H.·万 .

中国专利 :CN101069281A ,2007-11-07

[10]

自对准硅化物工艺的监控方法 [P].

张步新 ;

王媛 .

中国专利 :CN101494158A ,2009-07-29

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