PMOS器件自对准硅化物阻挡膜制程方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910200985.1

申请日：

2009-12-23

公开(公告)号：

CN102110644A

公开(公告)日：

2011-06-29

发明(设计)人：

赵林林张力群

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101487563261 IPC(主分类):H01L 21/82 专利申请号:2009102009851 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121116
2011-06-29	公开	公开
2014-07-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101702975995 IPC(主分类):H01L 21/82 专利申请号:2009102009851 申请公布日:20110629
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096107868 IPC(主分类):H01L 21/82 专利申请号:2009102009851 申请日:20091223

共 50 条

[1]

自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法 [P].

李敏 ;

吴永玉 .

中国专利 :CN101866850A ,2010-10-20

[2]

结合自对准接触制程以及自对准硅化物制程的方法 [P].

黄水钦 .

中国专利 :CN1191624C ,2003-09-03

[3]

自对准硅化物膜制程及结构 [P].

孙昌 ;

王艳生 ;

廖奇泊 ;

王蕾 ;

郭君 .

中国专利 :CN101373716A ,2009-02-25

[4]

自对准硅化物阻挡层的制造方法 [P].

陈宏 .

中国专利 :CN106024622A ,2016-10-12

[5]

形成自对准硅化物区域阻挡膜图案的方法 [P].

杨帆 ;

张海英 ;

林竞尧 ;

王培仁 .

中国专利 :CN101969025A ,2011-02-09

[6]

自对准硅化物工艺的监控方法 [P].

张步新 ;

王媛 .

中国专利 :CN101494158A ,2009-07-29

[7]

一种自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法 [P].

徐强 ;

张文广 ;

郑春生 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102394219A ,2012-03-28

[8]

制备自对准硅化物结构半导体器件的方法 [P].

石川拓 .

中国专利 :CN1155160A ,1997-07-23

[9]

用自对准硅化物工艺形成的MOSFET及其制造方法 [P].

出羽光明 ;

饭沼俊彦 ;

须黑恭一 .

中国专利 :CN1252834C ,2004-05-12

[10]

自对准硅化物膜的蚀刻方法 [P].

许宗能 ;

蒋昆坤 ;

任小兵 ;

王吉伟 .

中国专利 :CN102082090B ,2011-06-01

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