一种双栅极TFT器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210644076.2

申请日：

2022-06-09

公开(公告)号：

CN114937703A

公开(公告)日：

2022-08-23

发明(设计)人：

陈伟李澈

申请人：

申请人地址：

351100 福建省莆田市涵江区涵中西路1号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2134

代理机构：

福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212

代理人：

宋连梅

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-23	公开	公开
2022-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20220609

共 50 条

[1]

一种双栅极TFT器件结构及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109494256A ,2019-03-19

[2]

双栅极器件以及双栅极器件的制造方法 [P].

徐洪远 .

中国专利 :CN104795496A ,2015-07-22

[3]

双栅极TFT基板的制作方法及其结构 [P].

李文辉 .

中国专利 :CN104952880A ,2015-09-30

[4]

一种双栅极VDMOS器件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118841446A ,2024-10-25

[5]

具有双栅极半导体器件的制造方法 [P].

尹康植 ;

朴洪培 ;

金钟采 .

中国专利 :CN1096114C ,1998-07-01

[6]

双栅极晶体管及其制造方法 [P].

延·索斯基 ;

米切尔·J·范杜雷 .

中国专利 :CN101467235A ,2009-06-24

[7]

制造双栅极FET的方法 [P].

韦伯·D·范诺尔特 ;

弗朗西斯库斯·P·威德斯霍芬 ;

拉杜·芬尔代亚努 .

中国专利 :CN101142686A ,2008-03-12

[8]

一种多晶硅TFT器件及其制造方法 [P].

赵国 .

中国专利 :CN103746000B ,2014-04-23

[9]

双栅极薄膜电晶体与像素结构及其制造方法 [P].

刘文雄 ;

何建国 ;

陈盈惠 .

中国专利 :CN1716632A ,2006-01-04

[10]

双栅极非易失性存储器及其制造方法 [P].

赫尔本·多恩博斯 ;

皮埃尔·戈阿兰 .

中国专利 :CN100541723C ,2008-09-24

← 1 2 3 4 5 →