双栅极器件以及双栅极器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510163163.6

申请日：

2015-04-08

公开(公告)号：

CN104795496A

公开(公告)日：

2015-07-22

发明(设计)人：

徐洪远

申请人：

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L5110 H01L5140

代理机构：

广州三环专利代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫;熊永强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101621075854 IPC(主分类):H01L 51/05 专利申请号:2015101631636 申请日:20150408
2018-06-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 51/05 申请公布日:20150722
2015-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

具有双栅极半导体器件的制造方法 [P].

尹康植 ;

朴洪培 ;

金钟采 .

中国专利 :CN1096114C ,1998-07-01

[2]

制造双栅极FET的方法 [P].

韦伯·D·范诺尔特 ;

弗朗西斯库斯·P·威德斯霍芬 ;

拉杜·芬尔代亚努 .

中国专利 :CN101142686A ,2008-03-12

[3]

一种双栅极VDMOS器件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118841446A ,2024-10-25

[4]

双栅极CMOS的制造 [P].

马库斯·米勒 ;

彼得·斯托克 .

中国专利 :CN101032017A ,2007-09-05

[5]

形成半导体器件的双栅极的方法 [P].

金奎显 ;

崔根敏 ;

崔伯一 ;

金东柱 ;

韩智惠 .

中国专利 :CN100505217C ,2007-07-25

[6]

一种双栅极TFT器件及其制造方法 [P].

陈伟 ;

李澈 .

中国专利 :CN114937703A ,2022-08-23

[7]

双栅极半导体的制造方法 [P].

叶震南 ;

梁孟松 ;

陈嘉仁 ;

邱远鸿 .

中国专利 :CN100578757C ,2008-08-20

[8]

将杂质离子掺杂至双栅极的方法和用其制造双栅极的方法 [P].

卢俓奉 ;

池连赫 ;

金泰均 ;

金宇成 ;

李承美 .

中国专利 :CN101882603A ,2010-11-10

[9]

制作双栅极结构的方法 [P].

陈胜雄 ;

蔡明兴 .

中国专利 :CN1191611C ,2003-10-22

[10]

具有双栅极的诊断 [P].

W·勒斯勒尔 .

中国专利 :CN114765457A ,2022-07-19

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