将杂质离子掺杂至双栅极的方法和用其制造双栅极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010104006.5

申请日：

2010-01-27

公开(公告)号：

CN101882603A

公开(公告)日：

2010-11-10

发明(设计)人：

卢俓奉池连赫金泰均金宇成李承美

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;王春伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-10	公开	公开
2014-08-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101703799554 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010101040065 申请公布日:20101110
2012-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101261526082 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010101040065 申请日:20100127

共 50 条

[1]

双栅极器件以及双栅极器件的制造方法 [P].

徐洪远 .

中国专利 :CN104795496A ,2015-07-22

[2]

制造双栅极FET的方法 [P].

韦伯·D·范诺尔特 ;

弗朗西斯库斯·P·威德斯霍芬 ;

拉杜·芬尔代亚努 .

中国专利 :CN101142686A ,2008-03-12

[3]

双栅极CMOS的制造 [P].

马库斯·米勒 ;

彼得·斯托克 .

中国专利 :CN101032017A ,2007-09-05

[4]

双栅极半导体的制造方法 [P].

叶震南 ;

梁孟松 ;

陈嘉仁 ;

邱远鸿 .

中国专利 :CN100578757C ,2008-08-20

[5]

制作双栅极结构的方法 [P].

陈胜雄 ;

蔡明兴 .

中国专利 :CN1191611C ,2003-10-22

[6]

具有双栅极半导体器件的制造方法 [P].

尹康植 ;

朴洪培 ;

金钟采 .

中国专利 :CN1096114C ,1998-07-01

[7]

形成半导体器件的双栅极的方法 [P].

金奎显 ;

崔根敏 ;

崔伯一 ;

金东柱 ;

韩智惠 .

中国专利 :CN100505217C ,2007-07-25

[8]

双栅极晶体管及其制造方法 [P].

延·索斯基 ;

米切尔·J·范杜雷 .

中国专利 :CN101467235A ,2009-06-24

[9]

具有双栅极的诊断 [P].

W·勒斯勒尔 .

中国专利 :CN114765457A ,2022-07-19

[10]

双栅极功率半导体装置和控制双栅极功率半导体装置的方法 [P].

R·巴伯斯克 ;

F·普菲尔施 ;

J·汉塞尔 .

德国专利 :CN121057238A ,2025-12-02

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