双栅极半导体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710163876.8

申请日：

2007-10-09

公开(公告)号：

CN100578757C

公开(公告)日：

2008-08-20

发明(设计)人：

叶震南梁孟松陈嘉仁邱远鸿

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L218238 H01L27092

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁;张华辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-20	公开	公开
2010-01-06	授权	授权
2008-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

具有双栅极半导体器件的制造方法 [P].

尹康植 ;

朴洪培 ;

金钟采 .

中国专利 :CN1096114C ,1998-07-01

[2]

双栅极功率半导体装置和控制双栅极功率半导体装置的方法 [P].

R·巴伯斯克 ;

F·普菲尔施 ;

J·汉塞尔 .

德国专利 :CN121057238A ,2025-12-02

[3]

具有分离栅极的双栅极半导体装置 [P].

S·S·艾哈迈德 ;

H·王 ;

B·俞 .

中国专利 :CN1711644A ,2005-12-21

[4]

形成半导体器件的双栅极的方法 [P].

金奎显 ;

崔根敏 ;

崔伯一 ;

金东柱 ;

韩智惠 .

中国专利 :CN100505217C ,2007-07-25

[5]

双栅极器件以及双栅极器件的制造方法 [P].

徐洪远 .

中国专利 :CN104795496A ,2015-07-22

[6]

双栅极多位元半导体存储阵列的制造方法 [P].

何家骅 ;

吕函庭 .

中国专利 :CN101483155B ,2009-07-15

[7]

制造双栅极FET的方法 [P].

韦伯·D·范诺尔特 ;

弗朗西斯库斯·P·威德斯霍芬 ;

拉杜·芬尔代亚努 .

中国专利 :CN101142686A ,2008-03-12

[8]

具有双栅极氧化物层的半导体器件的制造方法 [P].

林宽容 ;

赵兴在 ;

朴大奎 ;

车泰昊 ;

吕寅硕 .

中国专利 :CN1423306A ,2003-06-11

[9]

用于功率应用的双栅极半导体结构 [P].

E·里斯 ;

A·沙赫韦尔迪 ;

N·克莱默 .

美国专利 :CN118352388A ,2024-07-16

[10]

双栅极CMOS的制造 [P].

马库斯·米勒 ;

彼得·斯托克 .

中国专利 :CN101032017A ,2007-09-05

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