具有双栅极氧化物层的半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02152425.4

申请日：

2002-11-27

公开(公告)号：

CN1423306A

公开(公告)日：

2003-06-11

发明(设计)人：

林宽容赵兴在朴大奎车泰昊吕寅硕

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L213105

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101594992782 IPC(主分类):H01L 21/283 专利号:ZL021524254 申请日:20021127 授权公告日:20051109 终止日期:20131127
2005-11-09	授权	授权
2003-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

具有双栅极半导体器件的制造方法 [P].

尹康植 ;

朴洪培 ;

金钟采 .

中国专利 :CN1096114C ,1998-07-01

[2]

制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法 [P].

梁元硕 ;

金奇南 ;

沈载勋 ;

李宰圭 .

中国专利 :CN1227719C ,1999-12-29

[3]

金属氧化物半导体器件栅极的制造方法 [P].

张海洋 ;

马擎天 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192525A ,2008-06-04

[4]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101197286A ,2008-06-11

[5]

具有双重栅极氧化物层的半导体组件的制造方法 [P].

谢文贵 ;

陈锡铨 ;

张荣和 ;

刘豪杰 .

中国专利 :CN1228817C ,2002-11-06

[6]

具有多重栅极氧化物厚度的半导体器件的制造方法 [P].

弗朗索瓦·赫伯特 ;

萨曼·阿赫桑 .

中国专利 :CN1722407A ,2006-01-18

[7]

具有栅极氧化物层的FINFET器件 [P].

李东颖 ;

黄玉莲 ;

张毅敏 .

中国专利 :CN105280706B ,2016-01-27

[8]

具有栅极氧化物层处减小电场的半导体器件 [P].

Q.张 ;

B.哈尔 .

中国专利 :CN105103297A ,2015-11-25

[9]

互补金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

杨勇胜 ;

邢溯 ;

肖德元 .

中国专利 :CN100468701C ,2008-01-16

[10]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

朱峰 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

黄怡 .

中国专利 :CN100561673C ,2008-06-25

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