金属氧化物半导体器件栅极的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610118838.6

申请日：

2006-11-28

公开(公告)号：

CN101192525A

公开(公告)日：

2008-06-04

发明(设计)人：

张海洋马擎天陈海华

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101241714679 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2006101188386 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111114
2008-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-22	授权	授权
2008-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100468635C ,2008-03-12

[2]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101197286A ,2008-06-11

[3]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

徐秋霞 ;

胡正明 ;

陈凯 .

中国专利 :CN109817585A ,2019-05-28

[4]

金属氧化物半导体器件的制备方法 [P].

罗超 ;

赵亮 ;

刘志鹏 ;

张青 .

中国专利 :CN119815858A ,2025-04-11

[5]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[6]

金属氧化物半导体器件栅极结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 ;

陈海华 .

中国专利 :CN100468636C ,2008-03-12

[7]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

朱峰 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

黄怡 .

中国专利 :CN100561673C ,2008-06-25

[8]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

陈宏 .

中国专利 :CN114267586A ,2022-04-01

[9]

横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN104851803A ,2015-08-19

[10]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101621071B ,2010-01-06

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