金属氧化物半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910202702.0

申请日：

2019-03-18

公开(公告)号：

CN109817585A

公开(公告)日：

2019-05-28

发明(设计)人：

徐秋霞胡正明陈凯

申请人：

申请人地址：

201899 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2015室

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-12	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/8238 变更事项:发明人变更前:徐秋霞胡正明陈凯变更后:徐秋霞陈凯
2019-06-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20190318
2019-05-28	公开	公开
2021-10-15	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[2]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101621071B ,2010-01-06

[3]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

上田岳洋 .

中国专利 :CN1213184A ,1999-04-07

[4]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

叶好华 ;

何学缅 ;

李煜 .

中国专利 :CN101154682A ,2008-04-02

[5]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

李煜 ;

何学缅 ;

叶好华 .

中国专利 :CN101136433A ,2008-03-05

[6]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

S·M·潘迪 .

美国专利 :CN118198124A ,2024-06-14

[7]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

游步东 ;

夏春新 .

中国专利 :CN112234094B ,2021-01-15

[8]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

朱峰 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

黄怡 .

中国专利 :CN100561673C ,2008-06-25

[9]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100468635C ,2008-03-12

[10]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN104900694A ,2015-09-09

← 1 2 3 4 5 →