金属氧化物半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610030629.6

申请日：

2006-08-31

公开(公告)号：

CN101136433A

公开(公告)日：

2008-03-05

发明(设计)人：

李煜何学缅叶好华

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-22	授权	授权
2011-12-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111117 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101249329239 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2006100306296
2008-03-05	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101621071B ,2010-01-06

[2]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

叶好华 ;

何学缅 ;

李煜 .

中国专利 :CN101154682A ,2008-04-02

[3]

射频金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

廖金昌 ;

黄威森 ;

张莉菲 .

中国专利 :CN101093831A ,2007-12-26

[4]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

S·M·潘迪 .

美国专利 :CN118198124A ,2024-06-14

[5]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

游步东 ;

夏春新 .

中国专利 :CN112234094B ,2021-01-15

[6]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

朱峰 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

黄怡 .

中国专利 :CN100561673C ,2008-06-25

[7]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100468635C ,2008-03-12

[8]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101197286A ,2008-06-11

[9]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[10]

互补金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

名仓延宏 .

中国专利 :CN1832180A ,2006-09-13

← 1 2 3 4 5 →