互补金属氧化物半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610051451.3

申请日：

2006-02-28

公开(公告)号：

CN1832180A

公开(公告)日：

2006-09-13

发明(设计)人：

名仓延宏

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2184

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101063075767 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2006100514513 公开日:20060913
2006-09-13	公开	公开
2006-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

金尚昱 ;

南胜杰 ;

文泰欢 ;

李光熙 ;

许镇盛 ;

裵鹤烈 ;

李润姓 .

中国专利 :CN114566466A ,2022-05-31

[2]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN100428476C ,2008-01-16

[3]

互补金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

杨勇胜 ;

邢溯 ;

肖德元 .

中国专利 :CN100468701C ,2008-01-16

[4]

互补金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

梁炆承 ;

穆罕默德·拉基布·乌丁 ;

李明宰 ;

李商文 ;

李成训 ;

赵成豪 .

中国专利 :CN104425492A ,2015-03-18

[5]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

金钟明 .

中国专利 :CN110858591A ,2020-03-03

[6]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

伊藤浩 ;

佐佐木诚 .

中国专利 :CN1217578A ,1999-05-26

[7]

互补金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

比卡斯·迈蒂 ;

菲利浦·J·托宾 ;

C·约瑟夫·莫噶 ;

克里斯托弗·豪泊斯 ;

拉里·E·福里萨 .

中国专利 :CN1122307C ,2000-02-02

[8]

互补金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN101572263B ,2009-11-04

[9]

互补金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

曾勉 ;

萧祥志 ;

张盛东 .

中国专利 :CN105575992A ,2016-05-11

[10]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

长谷川尚 ;

小山内润 .

中国专利 :CN100550386C ,2003-04-09

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