互补金属氧化物半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98124728.8

申请日：

1998-11-12

公开(公告)号：

CN1217578A

公开(公告)日：

1999-05-26

发明(设计)人：

伊藤浩佐佐木诚

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

中科专利代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-05-26	公开	公开
2005-07-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回
1999-03-24	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2003-08-20	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本国东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20030626

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

金尚昱 ;

南胜杰 ;

文泰欢 ;

李光熙 ;

许镇盛 ;

裵鹤烈 ;

李润姓 .

中国专利 :CN114566466A ,2022-05-31

[2]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

金钟明 .

中国专利 :CN110858591A ,2020-03-03

[3]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

长谷川尚 ;

小山内润 .

中国专利 :CN100550386C ,2003-04-09

[4]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN100428476C ,2008-01-16

[5]

高性能应变互补金属氧化物半导体器件 [P].

布鲁斯·B·多丽斯 ;

奥利格·G·格卢申科夫 .

中国专利 :CN1860602A ,2006-11-08

[6]

互补金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

名仓延宏 .

中国专利 :CN1832180A ,2006-09-13

[7]

互补金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

梁炆承 ;

穆罕默德·拉基布·乌丁 ;

李明宰 ;

李商文 ;

李成训 ;

赵成豪 .

中国专利 :CN104425492A ,2015-03-18

[8]

互补金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

曾勉 ;

萧祥志 ;

张盛东 .

中国专利 :CN105575992A ,2016-05-11

[9]

互补金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

杨勇胜 ;

邢溯 ;

肖德元 .

中国专利 :CN100468701C ,2008-01-16

[10]

处延双极器件和互补金属氧化物半导体器件的方法 [P].

D·D·库尔鲍 ;

J·S·顿恩 ;

P·J·盖斯 ;

P·B·格雷 ;

D·L·哈拉梅 ;

K·T·舍内伯格 ;

S·A·斯特安格 ;

S·苏班纳 .

中国专利 :CN1303129A ,2001-07-11

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