互补金属氧化物半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910547268.X

申请日：

2019-06-24

公开(公告)号：

CN110858591A

公开(公告)日：

2020-03-03

发明(设计)人：

金钟明

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

武慧南;田硕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20190624
2020-03-03	公开	公开

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

金尚昱 ;

南胜杰 ;

文泰欢 ;

李光熙 ;

许镇盛 ;

裵鹤烈 ;

李润姓 .

中国专利 :CN114566466A ,2022-05-31

[2]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN100428476C ,2008-01-16

[3]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

长谷川尚 ;

小山内润 .

中国专利 :CN100550386C ,2003-04-09

[4]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

伊藤浩 ;

佐佐木诚 .

中国专利 :CN1217578A ,1999-05-26

[5]

互补金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

曾勉 ;

萧祥志 ;

张盛东 .

中国专利 :CN105575992A ,2016-05-11

[6]

互补金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

名仓延宏 .

中国专利 :CN1832180A ,2006-09-13

[7]

互补金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

杨勇胜 ;

邢溯 ;

肖德元 .

中国专利 :CN100468701C ,2008-01-16

[8]

半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件 [P].

柳青 ;

P·卡雷 ;

N·劳贝特 .

中国专利 :CN203721725U ,2014-07-16

[9]

互补金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

比卡斯·迈蒂 ;

菲利浦·J·托宾 ;

C·约瑟夫·莫噶 ;

克里斯托弗·豪泊斯 ;

拉里·E·福里萨 .

中国专利 :CN1122307C ,2000-02-02

[10]

互补金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN101572263B ,2009-11-04

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