处延双极器件和互补金属氧化物半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00130926.9

申请日：

2000-11-08

公开(公告)号：

CN1303129A

公开(公告)日：

2001-07-11

发明(设计)人：

D·D·库尔鲍 J·S·顿恩 P·J·盖斯 P·B·格雷 D·L·哈拉梅 K·T·舍内伯格 S·A·斯特安格 S·苏班纳

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

H01L218249

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

陈霁;傅康

法律状态：

实质审查请求的生效

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-06-13	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-07-14	授权	授权
2001-07-11	公开	公开
2001-11-28	发明专利申请公开说明书更正	发明专利申请公开说明书更正卷:17 号:28 页码:扉页更正项目:发明名称误:处延双极器件和互补金属氧化物半导体器件的方法正:外延双极器件和互补金属氧化物半导体器件的方法
2019-11-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8249 申请日:20001108 授权公告日:20040714 终止日期:20181108

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

伊藤浩 ;

佐佐木诚 .

中国专利 :CN1217578A ,1999-05-26

[2]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

金尚昱 ;

南胜杰 ;

文泰欢 ;

李光熙 ;

许镇盛 ;

裵鹤烈 ;

李润姓 .

中国专利 :CN114566466A ,2022-05-31

[3]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

金钟明 .

中国专利 :CN110858591A ,2020-03-03

[4]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

长谷川尚 ;

小山内润 .

中国专利 :CN100550386C ,2003-04-09

[5]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN100428476C ,2008-01-16

[6]

高性能应变互补金属氧化物半导体器件 [P].

布鲁斯·B·多丽斯 ;

奥利格·G·格卢申科夫 .

中国专利 :CN1860602A ,2006-11-08

[7]

互补金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

名仓延宏 .

中国专利 :CN1832180A ,2006-09-13

[8]

互补金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

杨勇胜 ;

邢溯 ;

肖德元 .

中国专利 :CN100468701C ,2008-01-16

[9]

半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件 [P].

柳青 ;

P·卡雷 ;

N·劳贝特 .

中国专利 :CN203721725U ,2014-07-16

[10]

制作互补金属氧化物半导体器件的方法和结构 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN102130057A ,2011-07-20

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