制作互补金属氧化物半导体器件的方法和结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010022890.8

申请日：

2010-01-14

公开(公告)号：

CN102130057A

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

宁先捷

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;顾珊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-20	公开	公开
2013-02-06	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101511198797 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010100228908 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20130107
2013-05-01	授权	授权
2011-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101102913009 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010100228908 申请日:20100114

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

金钟明 .

中国专利 :CN110858591A ,2020-03-03

[2]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

长谷川尚 ;

小山内润 .

中国专利 :CN100550386C ,2003-04-09

[3]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

金尚昱 ;

南胜杰 ;

文泰欢 ;

李光熙 ;

许镇盛 ;

裵鹤烈 ;

李润姓 .

中国专利 :CN114566466A ,2022-05-31

[4]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

伊藤浩 ;

佐佐木诚 .

中国专利 :CN1217578A ,1999-05-26

[5]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN100428476C ,2008-01-16

[6]

互补金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN101572263B ,2009-11-04

[7]

互补金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

杨勇胜 ;

邢溯 ;

肖德元 .

中国专利 :CN100468701C ,2008-01-16

[8]

互补金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

梁炆承 ;

穆罕默德·拉基布·乌丁 ;

李明宰 ;

李商文 ;

李成训 ;

赵成豪 .

中国专利 :CN104425492A ,2015-03-18

[9]

互补金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

曾勉 ;

萧祥志 ;

张盛东 .

中国专利 :CN105575992A ,2016-05-11

[10]

互补金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

名仓延宏 .

中国专利 :CN1832180A ,2006-09-13

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