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金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201410057290.3
申请日：
2014-02-20
公开(公告)号：
CN104867829A
公开(公告)日：
2015-08-26
发明(设计)人：
刘竹
马万里
申请人：
申请人地址：
100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978
代理机构：
北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343
代理人：
尚志峰;汪海屏
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2015-09-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101626815146 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014100572903 申请日:20140220 |
| 2022-08-02 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20220720 变更事项:专利权人 变更前权利人:北大方正集团有限公司 变更后权利人:深圳方正微电子有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 变更后权利人:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 变更事项:专利权人 变更前权利人:深圳方正微电子有限公司 |
| 2015-08-26 | 公开 | 公开 |
| 2018-07-10 | 授权 | 授权 |