金属氧化物半导体器件与其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111427488.2

申请日：

2021-11-29

公开(公告)号：

CN114171577A

公开(公告)日：

2022-03-11

发明(设计)人：

孙鹤王加坤

申请人：

申请人地址：

310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L27088 H01L218234

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

丁俊萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	公开	公开
2022-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20211129

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体器件与其制作方法 [P].

孙鹤 ;

王加坤 .

中国专利 :CN114171577B ,2025-08-01

[2]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[3]

金属氧化物半导体器件和制作方法 [P].

伊藤明 .

中国专利 :CN103904116B ,2014-07-02

[4]

互补金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN101572263B ,2009-11-04

[5]

互补金属氧化物半导体与其制作方法 [P].

赖建铭 ;

黄建中 ;

曾于庭 ;

蔡雅卉 ;

王裕平 .

中国专利 :CN105448918A ,2016-03-30

[6]

N型金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

朱志炜 ;

廖金昌 .

中国专利 :CN101866950A ,2010-10-20

[7]

金属氧化物半导体器件 [P].

苗跃 ;

萧经华 ;

李秋敏 ;

赵冬芹 ;

曹廷 .

中国专利 :CN102569400A ,2012-07-11

[8]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法 [P].

嵇彤 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

李彬鸿 ;

苏炳熏 ;

许静 ;

许滨滨 ;

王国庆 .

中国专利 :CN115602729A ,2023-01-13

[9]

平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

陈洪宁 ;

方绍明 ;

刘鹏飞 ;

王心强 ;

陈勇 .

中国专利 :CN101459084B ,2009-06-17

[10]

平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

陈洪宁 ;

方绍明 ;

刘鹏飞 ;

王新强 ;

陈勇 .

中国专利 :CN101350309B ,2011-04-20

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